三星電子的半導體部門正在面臨前所未有的挑戰，其營收貢獻已不如以往。近期，一位在半導體領域享有盛譽的專家，曾在臺積電工作近20年的林俊成，確認已離開三星，結束了其在三星的兩年職務。林俊成于1999年至2017年在臺積電任職，積累了豐富的晶片封裝技術經驗，并于2022年加入三星半導體研究中心，擔任副總裁，主要負責晶片封裝技術的研發。

隨著摩爾定律的逐步逼近極限，封裝技術已成為推動下一代先進晶片性能的重要因素。在這一背景下，三星自2022年起加大對先進封裝技術的投資，組建了一個強大的封裝研發團隊，力圖在全球半導體市場中占據一席之地。林俊成的加入，無疑是三星為擴大封裝業務所做的重要戰略部署。其深厚的封裝技術背景與在臺積電的多年經驗，為三星的封裝技術研發注入了強大的動力。

在三星工作期間，林俊成為多個重大封裝項目的核心人物，特別是在HBM（高帶寬內存）技術的研發方面，他為HBM4記憶體的封裝技術開發做出了不可忽視的貢獻。HBM4作為三星在未來AI浪潮中的重要技術突破，承載著巨大的期望。在全球范圍內，三星的HBM3E市場份額落后于競爭對手SK海力士，因此，三星對HBM4的投入和重視度顯得尤為重要。這一技術的成功與否，將直接影響三星在AI計算領域的市場份額和競爭力。

林俊成還參與了多個先進封裝技術的研發項目，其中包括用于3D IC的銅混合鍵合技術，這項技術被認為是未來3D芯片封裝的關鍵突破。此技術的應用，可以大幅提高芯片的集成度和性能，成為半導體產業發展的關鍵方向之一。林俊成在這一領域的貢獻，不僅提升了三星的封裝能力，也為全球封裝技術的發展帶來了深遠影響。

在離開三星后，林俊成在LinkedIn上確認了其離職的消息，并表示為期兩年的合約已經到期。他還強調自己在三星期間為先進封裝技術做出的貢獻，包括HBM-16H的研發，這一成果對于半導體行業意義深遠。

林俊成的離職標志著三星半導體封裝團隊的一個重要轉折點。隨著全球半導體市場競爭的日益激烈，三星如何繼續推進其封裝技術的發展，并迎接未來技術挑戰，將是業界關注的焦點。

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