隨著2024年下半年港股市場的逐步回暖，IPO市場再次活躍起來，投資者信心回升，尤其是內(nèi)地企業(yè)加速赴港上市步伐。到12月30日，港股已迎來了70家新股，其中88%來自內(nèi)地企業(yè)，進一步凸顯了內(nèi)地資本對香港市場的信任。而今天，氮化鎵（GaN）功率半導體領域的明星企業(yè)——英諾賽科（2577.HK）成功登陸港交所主板，為港股市場注入了新的活力。

英諾賽科是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓的企業(yè)，也是唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司。此次IPO，英諾賽科成功籌集了13.02億港元的凈資金，充分顯示出資本市場對其未來前景的高度認可。

管理團隊的實力保障

英諾賽科成立于2017年，致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延與器件研發(fā)與制造。公司采用IDM（集成設備制造商）模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產(chǎn)線。根據(jù)弗若斯特沙利文的報告，英諾賽科在2023年以收入計成為全球氮化鎵功率半導體公司的領先者。

公司的管理團隊由創(chuàng)始人兼董事長Weiwei Luo博士與首席執(zhí)行官吳金剛博士領導，二人在先進材料和半導體技術領域擁有豐富的經(jīng)驗。團隊的創(chuàng)新推動了氮化鎵功率半導體產(chǎn)品的突破，并在產(chǎn)業(yè)化過程中取得了顯著成績。目前，英諾賽科已擁有406項專利和387項專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝等關鍵技術領域。

強大的融資背景

英諾賽科的融資歷程也為其快速發(fā)展提供了有力支持。從2018年到2024年，公司成功完成五輪融資，累計融資總額達到人民幣62.34億元。值得一提的是，在本次IPO之前，英諾賽科就已經(jīng)吸引了如招銀成長、SK China等多家知名機構投資者的支持，為公司提供了充足的資金保障。

此外，本次IPO還引入了多個基石投資者，包括STHK、江蘇國企混改基金、蘇州高端裝備等，顯示出半導體行業(yè)內(nèi)外資本的高度關注和信任。

規(guī)模經(jīng)濟帶來高速成長

自公司于2022年開始量產(chǎn)以來，英諾賽科的收入持續(xù)增長。2021年到2023年，英諾賽科的收入分別為6,821萬元、1.36億元及5.93億元，年復合增長率達到194.8%。2024年上半年，公司收入同比增長25.2%，繼續(xù)保持強勁的增長勢頭。

盡管英諾賽科在擴張過程中經(jīng)歷了高額的資本支出和研發(fā)開支，造成了一定的暫時虧損，但隨著產(chǎn)能的擴大和經(jīng)營效率的提升，公司在不久的將來有望實現(xiàn)盈利，進一步鞏固其市場地位。

GaN芯片市場前景廣闊

氮化鎵（GaN）作為一種高效能的第三代半導體材料，已在5G、汽車電子、消費電子等領域得到了廣泛應用。隨著技術的不斷成熟，GaN芯片的市場需求正在快速增長，預計將成為半導體產(chǎn)業(yè)中的新興亮點。

英諾賽科憑借其在硅基氮化鎵領域的領先技術和生產(chǎn)能力，將有望在這個高速增長的市場中占據(jù)一席之地，進一步提升其市值。

總的來說，英諾賽科的成功上市標志著港股市場對創(chuàng)新型科技企業(yè)的重視，并為投資者提供了一個獨具潛力的投資機會。隨著公司在氮化鎵功率半導體領域的持續(xù)突破，其未來的發(fā)展值得期待。

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