氮化鎵芯片制造商英諾賽科通過聯交所上市聆訊，宣布啟動IPO預路演，預計集資1.5億至2億美元（約11.7億至15.6億港元）。本次上市由中金公司和招銀國際擔任聯席保薦人。

根據初步招股文件，英諾賽科專注于氮化鎵功率芯片的研發(fā)與銷售，其產品廣泛應用于快速充電、適配器、可再生能源電池管理系統、工業(yè)設備、汽車電子及數據中心等領域。相比傳統硅材料，氮化鎵具備更高電壓承受能力和更優(yōu)導電性能，能夠顯著提升充電效率。目前，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵芯片生產基地，每月產能達1.25萬塊。

專利風險與地緣挑戰(zhàn)

盡管地緣政治緊張局勢持續(xù)升級，英諾賽科表示其業(yè)務尚未受到制裁影響，約90%的銷售額來源于海外市場。但公司目前正面臨專利侵權訴訟，美國國際貿易委員會裁定英諾賽科侵犯了“294號專利”。對此，公司計劃于明年3月7日前向聯邦上訴法院提出上訴。

財務表現與集資用途

財務數據顯示，英諾賽科過去三年虧損有所收窄。2021年至2023年，公司分別虧損33.99億元、22.05億元和11.02億元。今年上半年虧損4.88億元，同比下降15.8%，同期收入達3.86億元，同比增長25%。

英諾賽科表示，本次集資所得將主要用于以下幾個方面：

1. 擴大產能：約60%的資金將用于提升8英寸氮化鎵晶圓產能；

2. 研發(fā)投入：約20%資金將用于技術研發(fā)及豐富產品組合；

3. 市場拓展：約10%用于全球分銷網絡擴展及市場營銷活動；

4. 其他用途：其余資金將用于一般運營及企業(yè)用途。

盡管面臨多重挑戰(zhàn)，英諾賽科的氮化鎵技術前景被廣泛看好。本次IPO有望為其進一步擴展業(yè)務和技術優(yōu)勢提供重要助力。

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